近日，国际电子设备会议IEDM 2019在美国旧金山举行，三星在该次会议上展示了其最新的研究成果——14nm FinFET工艺，据悉，该工艺将会被应用在144MP超高像素的图片传感器上。

此前，小米CC9Pro的1.08亿像素传感器就曾引起轰动，然而这还远远不是终点，三星此次展示的14nm FinFET工艺代表着更高像素的144MP即将登场，得益于该新工艺的应用，传感器的界面密度可以提升40%以上，闪烁噪声则可以提高64%，除此之外，新工艺还可以降低34%的数字逻辑芯片功耗，这就使得新传感器的整体功耗有望降低42%。

目前我们还不清楚该传感器的量产实用时间，但是根据现阶段的发展趋势来看，新一轮的像素大战已经拉开了序幕，明年搭载1亿像素的机型很有可能会迎来一个爆发期，并且根据此前的爆料，高通骁龙865已经提供了2亿像素的支持，因此我们可以大胆推测，明年甚至还会有高达2亿像素的传感器上市，值得期待。